AOSD62666E

製品パラメータ

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シリーズ

-

fet234タイプ

2 N-Channel (Dual)

包装

Cut Tape (CT)

FET特徴

Logic Level Gate

部地位

Active

-マックス

2.5W (Ta)

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

vgs (th) (max) @ id

2.2V @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

14.5mOhm @ 9.5A, 10V

サプライヤー装置パッケージ

8-SOIC

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

10nC @ 4.5V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

60V

入力容量(ciss) (max) @ vds

755pF @ 30V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

9.5A (Ta)