AOW29S50

製品パラメータ

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シリーズ

aMOS™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±30V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Not For New Designs

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

vgs (th) (max) @ id

3.9V @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

150mOhm @ 14.5A, 10V

電力放蕩(マックス)

357W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-262

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

26.6nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

500V

入力容量(ciss) (max) @ vds

1312pF @ 100V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

29A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V