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CXDM6053N TR
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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CXDM6053N TR

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89


メーカー: Central Semiconductor Corp

Datasheet: CXDM6053N TR

価格:

USD $0.35

株式: 26 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-243AA
vgs (th) (max) @ id
3V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
41mOhm @ 5.3A, 10V
電力放蕩(マックス)
1.2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ
SOT-89
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
8.8nC @ 5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
60V
入力容量(ciss) (max) @ vds
920pF @ 30V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
5.3A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
4.5V, 10V

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