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EPC2001
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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EPC2001

GANFET TRANS 100V 25A BUMPED DIE


メーカー: EPC

Datasheet: EPC2001

価格:

USD $0.76

株式: 5 pcs

製品パラメータ

シリーズ
eGaN®
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
+6V, -5V
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
FET特徴
-
部地位
Discontinued at Digi-Key
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
Die
vgs (th) (max) @ id
2.5V @ 5mA
作動温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
7mOhm @ 25A, 5V
電力放蕩(マックス)
-
サプライヤー装置パッケージ
Die Outline (11-Solder Bar)
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
10nC @ 5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
100V
入力容量(ciss) (max) @ vds
950pF @ 50V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
25A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
5V

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