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画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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MBR200150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER


メーカー: GeneSiC Semiconductor

Datasheet: MBR200150CT

価格:

USD $65.66

株式: 24 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Bulk
ダイオードタイプ
Schottky
部地位
Active
取付タイプ
Chassis Mount
パケット/場合
Twin Tower
ダイオード構成
1 Pair Common Cathode
サプライヤー装置パッケージ
Twin Tower
電流-逆リーク@ vr
3mA @ 150V
電圧- dcリバース(vr) (max)
150V
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
880mV @ 100A
電流-平均整流(io)(ダイオード当たり)
100A

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