MUR20010CT

製品パラメータ

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

シリーズ

-

包装

Bulk

ダイオードタイプ

Schottky

部地位

Active

取付タイプ

Chassis Mount

パケット/場合

Twin Tower

ダイオード構成

1 Pair Common Cathode

サプライヤー装置パッケージ

Twin Tower

逆回復時間(trr)

75ns

電流-逆リーク@ vr

25µA @ 50V

電圧- dcリバース(vr) (max)

100V

動作温度-ジャンクション

-55°C ~ 150°C

電圧-順方向(vf) (max) @ if

1.3V @ 100A

電流-平均整流(io)(ダイオード当たり)

200A (DC)