Menu Navigation

GP2M011A090NG
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
thumb-0

GP2M011A090NG

MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN


メーカー: Global Power Technologies Group

Datasheet: GP2M011A090NG

価格:

USD $0.87

株式: 79 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
N-Channel
包装
Tube
Vgs Max
±30V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Obsolete
取付タイプ
Through Hole
パケット/場合
TO-3P-3, SC-65-3
vgs (th) (max) @ id
5V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
900mOhm @ 5.5A, 10V
電力放蕩(マックス)
416W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
TO-3PN
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
84nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
900V
入力容量(ciss) (max) @ vds
3240pF @ 25V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
11A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

あなたも興味があるかもしれません