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IXDF602SIA
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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IXDF602SIA

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO


メーカー: IXYS Integrated Circuits Division

Datasheet: IXDF602SIA

価格:

USD $1.32

株式: 553 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
ゲートタイプ
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
包装
Tube
入力タイプ
Inverting, Non-Inverting
部地位
Active
チャネルタイプ
Independent
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
電圧-供給
4.5V ~ 35V
複数の運転手
2
駆動構成
Low-Side
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
立上り時間(typ)
7.5ns, 6.5ns
サプライヤー装置パッケージ
8-SOIC
ロジック電圧- vil, vih
0.8V, 3V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
2A, 2A

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