IXDN602SI

製品パラメータ

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シリーズ

-

ゲートタイプ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

包装

Tube

入力タイプ

Non-Inverting

部地位

Active

チャネルタイプ

Independent

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

電圧-供給

4.5V ~ 35V

複数の運転手

2

駆動構成

Low-Side

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

立上り時間(typ)

7.5ns, 6.5ns

サプライヤー装置パッケージ

8-SOIC-EP

ロジック電圧- vil, vih

0.8V, 3V

電流-ピーク出力(ソース、シンク)

2A, 2A