IXFN55N50F

製品パラメータ

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シリーズ

HiPerRF™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Chassis Mount

パケット/場合

SOT-227-4, miniBLOC

vgs (th) (max) @ id

5.5V @ 8mA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

85mOhm @ 27.5A, 10V

電力放蕩(マックス)

600W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

SOT-227B

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

195nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

500V

入力容量(ciss) (max) @ vds

6700pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

55A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V