IXBK75N170A

製品パラメータ

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シリーズ

BIMOSFET™

IGBTタイプ

-

包装

Tube

入力タイプ

Standard

門電荷

358nC

部地位

Active

-マックス

1040W

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-264-3, TO-264AA

実験条件

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

ベース部材番号

IXB*75N170

スイッチングエネルギー

3.8mJ (off)

td (on/off) @ 25°c

26ns/418ns

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

サプライヤー装置パッケージ

TO-264

vce (on) (max) @ vge, ic

6V @ 15V, 42A

逆回復時間(trr)

360ns

電流-コレクタ(ic) (max)

110A

電流-コレクタパルス(icm)

300A

電圧-コレクタエミッター故障(max)

1700V