IXBT42N170

製品パラメータ

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シリーズ

BIMOSFET™

IGBTタイプ

-

包装

Tube

入力タイプ

Standard

門電荷

188nC

部地位

Active

-マックス

360W

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

実験条件

-

ベース部材番号

IXB*42N170

スイッチングエネルギー

-

td (on/off) @ 25°c

-

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

サプライヤー装置パッケージ

TO-268

vce (on) (max) @ vge, ic

2.8V @ 15V, 42A

逆回復時間(trr)

1.32µs

電流-コレクタ(ic) (max)

80A

電流-コレクタパルス(icm)

300A

電圧-コレクタエミッター故障(max)

1700V