IXFK100N65X2

製品パラメータ

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シリーズ

HiPerFET™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±30V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-264-3, TO-264AA

vgs (th) (max) @ id

5.5V @ 4mA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

30mOhm @ 50A, 10V

電力放蕩(マックス)

1040W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-264

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

180nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

650V

入力容量(ciss) (max) @ vds

11300pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

100A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V