IXFT10N100

製品パラメータ

---

シリーズ

HiPerFET™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

vgs (th) (max) @ id

4.5V @ 4mA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

1.2Ohm @ 5A, 10V

電力放蕩(マックス)

300W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-268

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

155nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

1000V

入力容量(ciss) (max) @ vds

4000pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

10A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V