62-0203PBF

製品パラメータ

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シリーズ

HEXFET®

fet234タイプ

P-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±8V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

vgs (th) (max) @ id

900mV @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

電力放蕩(マックス)

2.5W (Ta)

サプライヤー装置パッケージ

8-SO

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

91nC @ 4.5V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

12V

入力容量(ciss) (max) @ vds

8676pF @ 10V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

16A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

1.8V, 4.5V