64-9144

製品パラメータ

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シリーズ

HEXFET®

fet234タイプ

N-Channel

包装

Cut Tape (CT)

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

DirectFET™ Isometric ST

vgs (th) (max) @ id

2.35V @ 250µA

作動温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

電力放蕩(マックス)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

DIRECTFET™ ST

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

17nC @ 4.5V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

30V

入力容量(ciss) (max) @ vds

1300pF @ 15V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

14A (Ta), 55A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

4.5V, 10V