BSC900N20NS3GATMA1 — 画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください

BSC900N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

メーカー: Infineon Technologies

Datasheet: BSC900N20NS3GATMA1

価格:

USD $0.7

株式: 43 pcs

製品パラメータ

シリーズ

OptiMOS™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-PowerTDFN

vgs (th) (max) @ id

4V @ 30µA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

90mOhm @ 7.6A, 10V

電力放蕩(マックス)

62.5W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

PG-TDSON-8

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

11.6nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

200V

入力容量(ciss) (max) @ vds

920pF @ 100V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

15.2A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V

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