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BSC900N20NS3GATMA1
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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BSC900N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON


メーカー: Infineon Technologies

Datasheet: BSC900N20NS3GATMA1

価格:

USD $0.7

株式: 43 pcs

製品パラメータ

シリーズ
OptiMOS™
fet234タイプ
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-PowerTDFN
vgs (th) (max) @ id
4V @ 30µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
電力放蕩(マックス)
62.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
PG-TDSON-8
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
11.6nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
200V
入力容量(ciss) (max) @ vds
920pF @ 100V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
15.2A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

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