FF23MR12W1M1B11BOMA1

製品パラメータ

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シリーズ

CoolSiC™+

fet234タイプ

2 N-Channel (Dual)

包装

Tray

FET特徴

Silicon Carbide (SiC)

部地位

Active

-マックス

20mW

取付タイプ

Chassis Mount

パケット/場合

Module

vgs (th) (max) @ id

5.55V @ 20mA

作動温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

23mOhm @ 50A, 15V

サプライヤー装置パッケージ

Module

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

125nC @ 15V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

1200V (1.2kV)

入力容量(ciss) (max) @ vds

3950pF @ 800V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

50A