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IDB30E120ATMA1
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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IDB30E120ATMA1

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3


メーカー: Infineon Technologies

Datasheet: IDB30E120ATMA1

価格:

USD $2.82

株式: 690 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Cut Tape (CT)
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
静電容量@ vr, f
-
サプライヤー装置パッケージ
PG-TO263-3
逆回復時間(trr)
243ns
電流-逆リーク@ vr
100µA @ 1200V
電圧- dcリバース(vr) (max)
1200V
現在-平均整流(io)
50A (DC)
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
2.15V @ 30A

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