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画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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IDC21D120T6MX1SA2

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER


メーカー: Infineon Technologies

Datasheet: IDC21D120T6MX1SA2

価格:

USD $3.52

株式: 10 pcs

製品パラメータ

速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Bulk
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
Die
静電容量@ vr, f
-
サプライヤー装置パッケージ
Sawn on foil
電流-逆リーク@ vr
7.7µA @ 1200V
電圧- dcリバース(vr) (max)
1200V
現在-平均整流(io)
35A
動作温度-ジャンクション
-40°C ~ 175°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
2.05V @ 35A

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