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IPT111N20NFDATMA1
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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IPT111N20NFDATMA1

MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8


メーカー: Infineon Technologies

Datasheet: IPT111N20NFDATMA1

価格:

USD $0.08

株式: 15 pcs

製品パラメータ

シリーズ
OptiMOS™
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-PowerSFN
vgs (th) (max) @ id
4V @ 267µA
作動温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
電力放蕩(マックス)
375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
PG-HSOF-8-1
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
87nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
200V
入力容量(ciss) (max) @ vds
7000pF @ 100V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
96A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

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