IRF100B202

製品パラメータ

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シリーズ

HEXFET®, StrongIRFET™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-220-3

vgs (th) (max) @ id

4V @ 150µA

作動温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

電力放蕩(マックス)

221W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-220AB

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

116nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

100V

入力容量(ciss) (max) @ vds

4476pF @ 50V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

97A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V