SPD11N10

製品パラメータ

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シリーズ

SIPMOS®

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

vgs (th) (max) @ id

4V @ 21µA

作動温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

電力放蕩(マックス)

50W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

P-TO252-3

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

18.3nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

100V

入力容量(ciss) (max) @ vds

400pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

10.5A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V