SPU18P06P

製品パラメータ

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シリーズ

SIPMOS®

fet234タイプ

P-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

vgs (th) (max) @ id

4V @ 1mA

作動温度

-

rds on (max) @ id, vgs

130mOhm @ 13.2A, 10V

電力放蕩(マックス)

-

サプライヤー装置パッケージ

PG-TO251-3

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

33nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

60V

入力容量(ciss) (max) @ vds

860pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

18.6A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V