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1N645-1
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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1N645-1

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35


メーカー: Microsemi Corporation

Datasheet: 1N645-1

価格:

USD $1.64

株式: 448 pcs

製品パラメータ

速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Bulk
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Through Hole
パケット/場合
DO-204AH, DO-35, Axial
静電容量@ vr, f
-
サプライヤー装置パッケージ
DO-35
電流-逆リーク@ vr
50nA @ 225V
電圧- dcリバース(vr) (max)
225V
現在-平均整流(io)
400mA
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
1V @ 400mA

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