APT1001R1BN

製品パラメータ

---

シリーズ

POWER MOS IV®

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±30V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-247-3

vgs (th) (max) @ id

4V @ 1mA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

1.1Ohm @ 5.25A, 10V

電力放蕩(マックス)

310W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-247AD

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

130nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

1000V

入力容量(ciss) (max) @ vds

2950pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

10.5A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V