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画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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APTM100A12STG

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W


メーカー: Microsemi Corporation

Datasheet: APTM100A12STG

価格:

USD $0.34

株式: 59 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
包装
Bulk
FET特徴
Standard
部地位
Discontinued at Digi-Key
-マックス
1250W
取付タイプ
Chassis Mount
パケット/場合
SP3
vgs (th) (max) @ id
5V @ 10mA
作動温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
120mOhm @ 34A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
SP3
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
616nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
1000V (1kV)
入力容量(ciss) (max) @ vds
17400pF @ 25V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
68A

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