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FCP110N65F
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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FCP110N65F

MOSFET N-CH 650V 35A TO220


メーカー: ON Semiconductor

Datasheet: FCP110N65F

価格:

USD $4.06

株式: 795 pcs

製品パラメータ

シリーズ
FRFET®, SuperFET® II
fet234タイプ
N-Channel
包装
Tube
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Through Hole
パケット/場合
TO-220-3
vgs (th) (max) @ id
5V @ 3.5mA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
電力放蕩(マックス)
357W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
TO-220-3
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
145nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
650V
入力容量(ciss) (max) @ vds
4895pF @ 100V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
35A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

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