NCP5111DR2G

製品パラメータ

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シリーズ

-

ゲートタイプ

IGBT, N-Channel MOSFET

包装

Tape & Reel (TR)

入力タイプ

Non-Inverting

部地位

Active

チャネルタイプ

Synchronous

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ベース部材番号

NCP5111

電圧-供給

10V ~ 20V

複数の運転手

2

駆動構成

Half-Bridge

作動温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

立上り時間(typ)

85ns, 35ns

サプライヤー装置パッケージ

8-SOIC

ロジック電圧- vil, vih

0.8V, 2.3V

high side voltage - max (bootstrap)

600V

電流-ピーク出力(ソース、シンク)

250mA, 500mA