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NDS332P
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3


メーカー: ON Semiconductor

Datasheet: NDS332P

価格:

USD $0.4

株式: 103816 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
P-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
±8V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
vgs (th) (max) @ id
1V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
300mOhm @ 1.1A, 4.5V
電力放蕩(マックス)
500mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ
SuperSOT-3
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
5nC @ 4.5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
195pF @ 10V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
1A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
2.7V, 4.5V

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