BS2103F-E2

製品パラメータ

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シリーズ

-

ゲートタイプ

IGBT, N-Channel MOSFET

包装

Tape & Reel (TR)

入力タイプ

Non-Inverting

部地位

Active

チャネルタイプ

Independent

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

電圧-供給

10V ~ 18V

複数の運転手

2

駆動構成

Half-Bridge

作動温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

立上り時間(typ)

200ns, 100ns

サプライヤー装置パッケージ

8-SOP

ロジック電圧- vil, vih

1V, 2.6V

high side voltage - max (bootstrap)

600V

電流-ピーク出力(ソース、シンク)

60mA, 130mA