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画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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R6520ENJTL

NCH 650V 20A POWER MOSFET. R652


メーカー: ROHM Semiconductor

Datasheet: R6520ENJTL

価格:

USD $0.5

株式: 73 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
vgs (th) (max) @ id
4V @ 630µA
作動温度
150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
205mOhm @ 9.5A, 10V
電力放蕩(マックス)
231W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
LPTS
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
61nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
650V
入力容量(ciss) (max) @ vds
1400pF @ 25V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
20A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

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