H7N1002LS-E

製品パラメータ

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シリーズ

-

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

SC-83

vgs (th) (max) @ id

-

作動温度

150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

10mOhm @ 37.5A, 10V

電力放蕩(マックス)

100W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

4-LDPAK

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

155nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

100V

入力容量(ciss) (max) @ vds

9700pF @ 10V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

75A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

4.5V, 10V