HAT1069C-EL-E

製品パラメータ

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シリーズ

-

fet234タイプ

P-Channel

Vgs Max

±8V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

6-SMD, Flat Leads

vgs (th) (max) @ id

1.2V @ 1mA

作動温度

150°C

rds on (max) @ id, vgs

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

電力放蕩(マックス)

900mW (Ta)

サプライヤー装置パッケージ

6-CMFPAK

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

16nC @ 4.5V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

12V

入力容量(ciss) (max) @ vds

1380pF @ 10V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

4A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

1.8V, 4.5V