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HAT2299WP-EL-E
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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HAT2299WP-EL-E

MOSFET N-CH WPAK


メーカー: Renesas Electronics America

Datasheet: HAT2299WP-EL-E

価格:

USD $0.8

株式: 8 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
Vgs Max
±30V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-PowerWDFN
vgs (th) (max) @ id
-
作動温度
150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
110mOhm @ 7A, 10V
電力放蕩(マックス)
25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
8-WPAK
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
15nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
150V
入力容量(ciss) (max) @ vds
710pF @ 25V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
14A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

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