NP50P04KDG-E1-AY

製品パラメータ

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シリーズ

-

fet234タイプ

P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

vgs (th) (max) @ id

2.5V @ 1mA

作動温度

175°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

10mOhm @ 25A, 10V

電力放蕩(マックス)

1.8W (Ta), 90W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-263

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

100nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

40V

入力容量(ciss) (max) @ vds

5100pF @ 10V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

50A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

4.5V, 10V