Menu Navigation

RJK6032DPH-E0#T2
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
thumb-0

RJK6032DPH-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 3A TO251


メーカー: Renesas Electronics America

Datasheet: RJK6032DPH-E0#T2

価格:

USD $0.35

株式: 41 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
Vgs Max
±30V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Obsolete
取付タイプ
Through Hole
パケット/場合
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
vgs (th) (max) @ id
-
作動温度
150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
電力放蕩(マックス)
40.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
TO-251
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
9nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
600V
入力容量(ciss) (max) @ vds
285pF @ 25V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
3A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

あなたも興味があるかもしれません