PD20010-E — 画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください

PD20010-E

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

メーカー: STMicroelectronics

Datasheet: PD20010-E

価格:

USD $18.17

株式: 463 pcs

製品パラメータ

利得

11dB

シリーズ

-

周波数

2GHz

包装

Tube

部地位

Active

ノイズ図

-

现行の中国语-水平考试

150mA

パケット/場合

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

力-出力

10W

-電圧検査

13.6V

トランジスタタイプ

LDMOS

電圧-評価

40V

ベース部材番号

PD20010

現在の視聴率(アンペア)

5A

サプライヤー装置パッケージ

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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