SCT10N120

製品パラメータ

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シリーズ

-

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

+25V, -10V

技術

SiCFET (Silicon Carbide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-247-3

ベース部材番号

SCT10

vgs (th) (max) @ id

3.5V @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

690mOhm @ 6A, 20V

電力放蕩(マックス)

150W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

HiP247™

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

22nC @ 20V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

1200V

入力容量(ciss) (max) @ vds

290pF @ 400V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

12A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

20V