STB200N6F3 — 画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください

STB200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

メーカー: STMicroelectronics

Datasheet: STB200N6F3

価格:

USD $0.1

株式: 292 pcs

製品パラメータ

シリーズ

STripFET™

fet234タイプ

N-Channel

包装

Digi-Reel®

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Obsolete

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ベース部材番号

STB200N

vgs (th) (max) @ id

4V @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

3.6mOhm @ 60A, 10V

電力放蕩(マックス)

330W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

D2PAK

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

100nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

60V

入力容量(ciss) (max) @ vds

6800pF @ 25V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

120A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V

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