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STD100N10F7
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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STD100N10F7

MOSFET N CH 100V 80A DPAK


メーカー: STMicroelectronics

Datasheet: STD100N10F7

価格:

USD $0.49

株式: 948 pcs

製品パラメータ

シリーズ
DeepGATE™, STripFET™ VII
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号
STD10
vgs (th) (max) @ id
4.5V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
電力放蕩(マックス)
120W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
DPAK
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
61nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
100V
入力容量(ciss) (max) @ vds
4369pF @ 50V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
80A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
10V

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