STY112N65M5

製品パラメータ

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シリーズ

MDmesh™ V

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±25V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-247-3

ベース部材番号

STY112

vgs (th) (max) @ id

5V @ 250µA

作動温度

150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

22mOhm @ 47A, 10V

電力放蕩(マックス)

625W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

MAX247™

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

350nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

650V

入力容量(ciss) (max) @ vds

16870pF @ 100V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

96A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V