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ES2J M4G
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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ES2J M4G

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA


メーカー: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: ES2J M4G

価格:

USD $0.12

株式: 91 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Tape & Reel (TR)
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
DO-214AA, SMB
静電容量@ vr, f
20pF @ 4V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ
DO-214AA (SMB)
逆回復時間(trr)
35ns
電流-逆リーク@ vr
10µA @ 600V
電圧- dcリバース(vr) (max)
600V
現在-平均整流(io)
2A
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
1.7V @ 2A

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