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HS3A M6G
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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HS3A M6G

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB


メーカー: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: HS3A M6G

価格:

USD $0.68

株式: 60 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Tape & Reel (TR)
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
DO-214AB, SMC
静電容量@ vr, f
80pF @ 4V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ
DO-214AB (SMC)
逆回復時間(trr)
50ns
電流-逆リーク@ vr
10µA @ 50V
電圧- dcリバース(vr) (max)
50V
現在-平均整流(io)
3A
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
1V @ 3A

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