HS3K V6G — 画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください

HS3K V6G

DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

メーカー: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: HS3K V6G

価格:

USD $0.1

株式: 79 pcs

製品パラメータ

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

シリーズ

-

ダイオードタイプ

Standard

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

DO-214AB, SMC

静電容量@ vr, f

50pF @ 4V, 1MHz

サプライヤー装置パッケージ

DO-214AB (SMC)

逆回復時間(trr)

75ns

電流-逆リーク@ vr

10µA @ 800V

電圧- dcリバース(vr) (max)

800V

現在-平均整流(io)

3A

動作温度-ジャンクション

-55°C ~ 150°C

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