BQ4010MA-200

製品パラメータ

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シリーズ

-

包装

Tray

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

アクセス時間

200ns

メモリサイズ

64Kb (8K x 8)

メモリタイプ

Non-Volatile

部地位

Obsolete

メモリフォーマット

NVSRAM

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

ベース部材番号

BQ4010

メモリ・インターフェース

Parallel

電圧-供給

4.75V ~ 5.5V

作動温度

0°C ~ 70°C (TA)

サプライヤー装置パッケージ

28-DIP Module (18.42x37.72)

書き込みサイクル時間-単語、ページ

200ns