TPS1100D

製品パラメータ

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シリーズ

-

fet234タイプ

P-Channel

包装

Tube

Vgs Max

+2V, -15V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

vgs (th) (max) @ id

1.5V @ 250µA

作動温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

電力放蕩(マックス)

791mW (Ta)

サプライヤー装置パッケージ

8-SOIC

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

5.45nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

15V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

1.6A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

2.7V, 10V