TC58NYG2S3EBAI5

製品パラメータ

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RoHS

Details

ブランド

Toshiba Memory

速度

25 ns

製品

NAND Flash

包装

Tray

メモリサイズ

4 Gbit

メモリタイプ

NAND

Subcategory

Memory & Data Storage

タイミングタイプ

Synchronous

建築

Block Erase

メーカー

Toshiba

組織

512 M x 8

商品类型

NAND Flash

データバス幅

8 bit

インターフェースタイプ

Parallel

取付スタイル

SMD/SMT

パケット/場合

TFBGA-63

対象品目

NAND Flash

水分敏感な

Yes

消費電流- max

30 mA

電源電圧- max

1.95 V

電源電圧-最小

1.7 V

工場パック量

180

最大クロック周波数

-

最大動作温度

+ 85 C

最小運営温度

- 40 C