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2SK2009TE85LF
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI


メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage

Datasheet: 2SK2009TE85LF

価格:

USD $0.55

株式: 250 pcs

製品パラメータ

シリーズ
-
fet234タイプ
N-Channel
包装
Cut Tape (CT)
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
vgs (th) (max) @ id
1.5V @ 100µA
作動温度
150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
2Ohm @ 50MA, 2.5V
電力放蕩(マックス)
200mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ
SC-59-3
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
30V
入力容量(ciss) (max) @ vds
70pF @ 3V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
200mA (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
2.5V

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