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SI1958DH-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI1958DH-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI1958DH-T1-E3

価格:

USD $0.29

株式: 56 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
1.25W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ベース部材番号
SI1958
vgs (th) (max) @ id
1.6V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
205mOhm @ 1.3A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
SC-70-6 (SOT-363)
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
3.8nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
105pF @ 10V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
1.3A

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